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学过51单片机的人，都知道这个学习的过程可能不是那么“美好”，所以，今天给大家介绍一些关于51单片机的学习方法。我从不说51是基础，如果我这么说，也请把这句话理解为微机原理是基础。首先要学习C语言基础，就相当于80% 列，MSP430系列，ARM系列)都是使用C语言。听起来单片机比较陌生，不是因为不懂，而是不知道方法和流程。现简单说说，仅供参考；先看内核805 /或其它如新茂，到网上一个发板，价格不会超过200元。明确了这一点对这一问题可能容易理解。单片机中的高阻态在51单片机，没有连接上拉电阻的P0口相比有上拉电阻的P1口在I/O口引脚和电源之间相连是通过一对推挽状态的FET来实现的，51具体结构如下图。组成推挽结构，从理论上讲是可以通过调配管子的参数轻松实现输出大电流，提高带载能力，两个管子根据通断状态有四种不同的组合，上下管导通相当于把电源短路了，这种情况下在实际电路中不能出现。从逻辑电路上来讲，上管-下管关时IO与VCC直接相连，IO输出低电平0,这种结构下如果没有外接上拉电阻，输出0就是漏状态（低阻态），因为I/O引脚是通过一个管子接地的，并不是使用导线直接连接，而一般的MOS在导通状态也会有mΩ极的导通电阻。但是存在这么一个现象：漏电保护器不，只空气关或者关。漏电保护器不的理由是什么呢？我们可能也会经常遇到这种情况，无缘无故的漏电保护器就跳闸了，如果不能发现哪地方经常漏电，只要通电，保护器不久就又一次跳闸了。为了不影响使用，干脆就将漏电保护器给卸载掉，只保留空气关。实际上，省略了漏电保护器就存在了巨大的安全隐患。保护器跳闸是因为肯定有漏电的地方，既然漏电，那么人就有可能发生触电的情况。使用外加电阻的驱动：步进电机的绕组使用粗导线时，线圈电阻Rw值很小，如下图所示。在各相线圈中，串联外部电阻R，为的是限制绕组流过的电流小于额定电流I。限制绕组流过电流的方法，可采用降低电源电压和串联外部电阻R的两种方法。设步进电机的线圈电感为L，绕组电阻为Rw电气时间常数为τ，外加电阻R时，电气时间常数公式如下：外加电阻使时间常数τ变小，电流上升比较快，从而使步进电机的驱动脉冲频率变快，上图所示为无外部电阻与带外部电阻R的电流上升曲线的比较，t1时刻，没有电阻R时，电流只上升到I1，有电阻R时，电流上升到I2，使高速时的转矩得到很大的改善；缺点是铜耗增大。